【大纪元2月12日讯】（法新社东京电）日本半导体业巨擘东芝（Toshiba）和德国半导体大厂英飞凌科技（InfineonTechnologies）今天表示，东芝和英飞凌已研发出拥有庞大记忆容量的微小晶片，标志着自二○○一年起展开的联手研发计划首度开花结果。
东芝公司发言人表示，该三十二个百万位元的铁电随机存取记忆体（FeRAM）晶片系迄今已知最高容量的这类记忆体，相当于三星（Samsung）公司一年前发表的类似元件。
铁电随机存取记忆体系耗电量低的非挥发性记忆元件，兼具动态随机存取记忆体（DRAM）和静态唯读记忆体（SROM）的快速处理优点和关掉电源后储存资料不会遗失的快闪记忆体长处。
两家公家表示，此种新型铁电随机存取记忆体将晶片整体面积缩减至仅九十六平方毫米，系传统元件的一半大小，将有助降低成本。
来自东芝和英飞凌科技的五十名工程师一直在东京郊外的横滨东芝半导体技术中心和东芝先进微电子中心研发新晶片。
东芝表示，它尚未进一步确定新晶片出货计划的相关细节。
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